S35A 概要
デバイス構成(斜文字はOption)
主要デバイス特性
項目 | 特性/特長 |
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動作最大電圧 | 3.6V(3.3V+10%) |
絶対最大定格 | 4.6V(3.3V+40%) |
Poly-Siヒューズ | Polycide/PolySi 23Ω/□ |
アナログ容量 | Polycide/PolySi 1.5fF/um2 |
ゲート酸化膜容量 4.4fF/um2 | |
WELL抵抗 | NW970Ω/□ |
拡散層抵抗 | RN(N+) 85Ω/□ RP(P+)175Ω/□ |
Polycide抵抗(MOS Gate) | 28Ω/□ (Lg=0.4um) |
ポリシリ抵抗 | 87Ω/□ |
標準MOSFET (Nch) | Vth=0.75v Ids=445 [uA/um] Cond.Lg=0.4umVg=Vd=3.3v |
標準MOSFET (Pch) | Vth=-0.60v Ids=-175 [uA/um] Cond.Lg=0.4um Vg=Vd=3.3v |
許容最大電流(Metal配線) | 上層部Metal4.8mA/um 下層部Metal3.6mA/um(Ta=85℃) |
オプション
低VthMOSFET (Nch) | Vth=0.30v Ids=600 [uA/um] Cond.Lg=0.4umVg=Vd=3.3v |
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低VthMOSFET (Pch) | Vth=-0.30v Ids=-240[uA/um] Cond.Lg=0.4umVg=Vd=3.3v |
デプレッションNch MOSFET | Vth=-0.40v Ids=0.78[uA/um] Cond.Lg=20um Vg=0v Vd=3.3v |
ポリシリ中抵抗 | 280Ω/□ |
ポリシリ高抵抗 | 1.0kΩ/□ 7.0kΩ/□ <選択> |