S35A 概要

デバイス構成(斜文字はOption)

デバイス構成(斜文字はOption)


主要デバイス特性

項目 特性/特長
動作最大電圧 3.6V(3.3V+10%)
絶対最大定格 4.6V(3.3V+40%)
Poly-Siヒューズ Polycide/PolySi 23Ω/□
アナログ容量 Polycide/PolySi  1.5fF/um2
ゲート酸化膜容量 4.4fF/um2
WELL抵抗 NW970Ω/□
拡散層抵抗 RN(N+) 85Ω/□ RP(P+)175Ω/□
Polycide抵抗(MOS Gate) 28Ω/□ (Lg=0.4um)
ポリシリ抵抗 87Ω/□
標準MOSFET (Nch) Vth=0.75v Ids=445 [uA/um] Cond.Lg=0.4umVg=Vd=3.3v
標準MOSFET (Pch) Vth=-0.60v Ids=-175 [uA/um] Cond.Lg=0.4um Vg=Vd=3.3v
許容最大電流(Metal配線) 上層部Metal4.8mA/um 下層部Metal3.6mA/um(Ta=85℃)

オプション

低VthMOSFET (Nch) Vth=0.30v Ids=600 [uA/um] Cond.Lg=0.4umVg=Vd=3.3v
低VthMOSFET (Pch) Vth=-0.30v Ids=-240[uA/um] Cond.Lg=0.4umVg=Vd=3.3v
デプレッションNch MOSFET Vth=-0.40v Ids=0.78[uA/um] Cond.Lg=20um Vg=0v Vd=3.3v
ポリシリ中抵抗 280Ω/□
ポリシリ高抵抗 1.0kΩ/□ 7.0kΩ/□ <選択>

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