S35A 概要
デバイス構成（斜文字はOption）
主要デバイス特性
| 項目 | 特性/特長 |
|---|---|
| 動作最大電圧 | 3.6V(3.3V+10%) |
| 絶対最大定格 | 4.6V(3.3V+40%) |
| Poly-Siヒューズ | Polycide/PolySi 23Ω/□ |
| アナログ容量 | Polycide/PolySi 1.5ｆF/um2 |
| ゲート酸化膜容量 4.4fF/um2 | |
| WELL抵抗 | NW970Ω/□ |
| 拡散層抵抗 | RN(N+) 85Ω/□ RP(P+)175Ω/□ |
| Polycide抵抗(MOS Gate) | 28Ω/□ (Lg=0.4um) |
| ポリシリ抵抗 | 87Ω/□ |
| 標準MOSFET (Nch) | Vth=0.75v Ids=445 [uA/um] Cond.Lg=0.4umVg=Vd=3.3v |
| 標準MOSFET (Pch) | Vth=-0.60v Ids=-175 [uA/um] Cond.Lg=0.4um Vg=Vd=3.3v |
| 許容最大電流（Metal配線) | 上層部Metal4.8mA/um 下層部Metal3.6mA/um(Ta=85℃） |
オプション
| 低ＶｔｈMOSFET (Nch) | Vth=0.30v Ids=600 [uA/um] Cond.Lg=0.4umVg=Vd=3.3v |
|---|---|
| 低ＶｔｈMOSFET (Pch) | Vth=-0.30v Ids=-240[uA/um] Cond.Lg=0.4umVg=Vd=3.3v |
| デプレッションNch MOSFET | Vth=-0.40v Ids=0.78[uA/um] Cond.Lg=20um Vg=0v Vd=3.3v |
| ポリシリ中抵抗 | 280Ω/□ |
| ポリシリ高抵抗 | 1.0kΩ/□ 7.0kΩ/□ <選択> |