0.35μmCMOSプロセス

プロセスラインアップと特徴

プロセス 特徴

Single
Gate

S35AD ・動作電圧3.3Vのアナログ・デジタル混在LSI設計に適したプロセス
S35MD ・動作電圧3.3V、5Vのアナログ・デジタル混在LSI設計に適したプロセス
S35MTC ・I/Oは3.3Vまたは5V、内部コアは2.5Vまたは3.3Vの電圧に対応したプロセス
・温度依存性の少ないPoly-Si中抵抗をオプション搭載可能

Dual
Gate

       

S35A ・動作電圧1.2~3.6Vのアナログ・デジタル混在LSI設計に適したプロセス
・異極ゲートを採用し、PMOSのOffLeak特性を改善
S35B ・動作電圧3.0~6.0Vのアナログ・デジタル混在LSI設計に適したプロセス
・異極ゲートでの仕事関数差MOSを提供
S35MTA ・S35Aに5VI/Oを追加
・異極ゲートで低消費電力化と仕事関数差MOSを提供
・複数の電源電圧に対応
S35MTD NEW ・MOSの1/fノイズを低減したアナログ・デジタル混在LSI設計向けプロセス
・異極ゲートで低消費電力と仕事関数差MOSを提供

NV-FUSE IP

0.35μm.CMOSプロセス S35MTA S35MTCで、電気的に書き換え可能な不揮発性メモリIPを使用できます。

【NV-FUSE IP特徴】 ・メモリ容量 16ビット/32ビット/64ビット/128ビットを用意
・シリアル入力インターフェースでメモリにデータをプログラム
・電源オンするとスタンバイ状態(1μA max)でメモリのデータを自動出力
・プログラムした情報は1ビット単位でメモリ電流としてモニタ可能

対応表

●:対応可 

  Analog-CMOS
0.35μm
プロセスコード S35AD S35MD S35MTC S35A S35B S35MTA S35MTD NEW



ゲート種類 Single Single Single Dual Dual Dual Dual
3.3V MOS -

●低1/fノイズ

5V MOS - ●I/O用 ●I/O用 - ●I/O用 ●I/O用
高耐圧 MOS - - - - - - -
Sub-PNP
V-NPN - - - -
PIP容量
高抵抗Poly 4KΩ/□ 4KΩ/□ 4KΩ/□ 7KΩ/□ 4KΩ/□ 4KΩ/□ 4KΩ/□
Polyヒューズ


MOS BSIM BSIM BSIM BSIM BSIM BSIM BSIM
BiP Gummel Poon Gummel Poon Gummel Poon Gummel Poon Gummel Poon Gummel Poon VBIC

温度補償範囲

-25℃ to
125℃

-25℃ to
125℃
-40℃ to
150℃
-25℃ to
125℃
-40℃ to
150℃
-40℃ to
150℃
-40℃ to
150℃
標準セル - - - - -
NV-FUSE IP - - - - -
P
D
K
Cadence
Tanner
SILVACO - - - -
Textベース*

*Text ベース
Spiceモデルデータ、DRC、LVS等検証ルールはTextベースの電子データ、基本素子のレイアウト例はGDSデータで、レイアウトルール、マスク層定義、素子特性、素子構造等はドキュメントにて提出致します。

PDKドキュメント体系

PDKドキュメント体系

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